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三星

優(yōu)勢(shì)渠道三星存儲(chǔ)芯片，三星在閃存、DRAM、非存儲(chǔ)芯片、定制半導(dǎo)體等產(chǎn)品線的研究與開(kāi)發(fā)中一直保持領(lǐng)先地位，而且為保持電子數(shù)碼產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者的地位不斷努力，承諾為顧客提供全球最高水平的產(chǎn)品及服務(wù)。

  • 產(chǎn)品名稱 品牌 參數(shù) 封裝 備注
  • KLM8G1GETF-B041006 三星 eMMC 5.1 8GB 1.8/3.3V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C
  • KLM4G1FETE-B041001 三星 eMMC 5.1 4GB 1.8 / 3.3 V HS400 11 x 10 x 0.8 mm BGA -25 ~ 85 °C
  • NT5CC64M16GP-DI 三星 1Gb 1.35V 1600Mbps BGA 0C~95C
  • K4UBE3D4AA-MGCL 三星 32 Gb 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4U6E3S4AA-MGCL 三星 16 Gb 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • K4F6E304HB-MGCJ 三星 16 Gb 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V 200FBGA -25 ~ 85 °C
  • KLMBG2JETD-B041 三星 eMMC 5.1 32GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA153 -25 ~ 85 °C
  • KLMAG1JETD-B041 三星 eMMC 5.1 16GB 1.8 / 3.3 V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA153 -25 ~ 85 °C
  • KLM8G1GETF-B041 三星 eMMC 5.1 8GB 1.8/3.3V HS400 11.5 x 13 x 0.8 mm BGA153 -25 ~ 85 °C
  • KLM4G1FETE-B041 三星 eMMC 5.1 4GB 1.8 / 3.3 V HS400 11 x 10 x 0.8 mm / -25 ~ 85 °C
  • K4A8G165WC-BCTD 三星 四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 8Gb 2666 Mbps 1.2 V 96TBGA 0 ~ 85 °C
  • K4A4G165WF-BCTD 三星 DDR4-2666 4Gb 96TBGA 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BYMA 三星 4Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V BGA96 0 ~ 85 °C
  • K4B4G1646E-BCNB 三星 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V BGA96 0 ~ 85 °C
  • K4B2G1646F-BCNB 三星 FLASH閃存存儲(chǔ)器 BGA-96 /
  • K4B2G1646F-BCNB 三星 DDR3-2133 2Gb 96FBGA /