相對于市場上三大頭部內(nèi)存廠商而言，winbond華邦主要專注于利基型內(nèi)存，產(chǎn)品容量一般最大為 8GB，其特點是不需要非常先進(jìn)的制程，并以 KGD 為主，便于與 SoC 進(jìn)行合封。

        在 KGD 1.0 (SiP) 中，DRAM Die 厚度約為 100-150 微米，裸片至裸片 (Die to Die) 的 I/O 路徑為 1000 微米，目前這種性能的 KGD 信號完整性/電源完整性 (SI/PI) 是主流的，也是夠用的。華邦方面曾經(jīng)對 LPDDR4 的電源效率進(jìn)行過估算，其小于 35pJ/Byte，帶寬方面 X32 LPDDR4x 每 I/O 為17GB/s。

        當(dāng)進(jìn)化到 KGD 2.0 (3D堆疊) 后，得益于 TSV 的深寬比能力，DRAM Die 厚度可以達(dá)到 50 微米的深度，  未來，通過 Hybrid Bonding 工藝還可以實現(xiàn) 1 微米的距離。同時，信號完整性/電源完整性 (SI/PI) 性能更好，功耗更低，可以達(dá)到甚至低于 LPDDR4 的四分之一 (為8pJ/Byte)，而帶寬可以實現(xiàn) 16-256GB/s。

        目前，華邦擁有兩座 12 寸晶圓廠，一座是位于臺中的 Fab 6 工廠，另一座是在高雄新建的第二座工廠，其產(chǎn)能為 1 萬片/月左右，后續(xù)將逐漸提升至 1.4 萬片 - 2 萬片/月。

        從制程工藝角度來看，高雄工廠投產(chǎn)后，華邦會將一些先進(jìn)制程的 DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至高雄廠，臺中廠的中小容量 DRAM 制程會維持在 65nm、46nm、38nm 和 25nm，且無意再向更小制程演進(jìn)，而是專注于成熟制程產(chǎn)品。高雄廠已經(jīng)量產(chǎn)的包括 25nm 2GB 和 4GB 兩種產(chǎn)品，20nm 產(chǎn)品預(yù)計在今年年中進(jìn)入量產(chǎn)階段，并繼續(xù)向 19nm 制程演進(jìn)。

         華邦電子大陸區(qū)產(chǎn)品營銷處處長朱迪再次強調(diào)了華邦對于 DDR3 的生產(chǎn)和支持。盡管他認(rèn)為像三星這樣的大廠逐漸舍棄 DDR3 和中小容量 DDR4 是一個大概率的事件，但從實際使用情況來看， 4Gb DDR3 產(chǎn)品將有望繼續(xù)被廣泛采用至少到 2027-2028 年，尤其在工業(yè)和汽車領(lǐng)域需要長期支持。而且，相同容量相同速度下，DDR3 較 DDR4 更具成本效益(相同制程下，與 DDR3 相比，Die 尺寸 DDR4 增加 10%，LPDDR4 增加18%)，DDR4 將會持續(xù)向更高容量發(fā)展，并隨著 PC 和服務(wù)器市場的需求遷移至 DDR5。

        根據(jù)規(guī)劃，DDR3 仍將保持 1Gb、2Gb、4Gb 和 8Gb 四種容量，并計劃在 2025 年演進(jìn)至 16nm；DDR4 方面，當(dāng) 20nm 制程就緒之后，高雄廠會在 2024 年初量產(chǎn) DDR4 DRAM 芯片。

       “利基型存儲市場大約只占整個存儲市場的 10%，它的供需相對而言是比較平衡和穩(wěn)定的。在當(dāng)前終端客戶、代理商、以及原廠庫存都比較低的情況下，確實有可能會出現(xiàn)缺貨的情況，但對具體時間節(jié)點做出判斷為時尚早，需要做進(jìn)一步的觀察?！敝斓险f。

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